[发明专利]一种积累型DMOS

摘要

本发明涉及功率半导体器件技术领域，具体涉及到一种积累型DMOS。本发明的积累型DMOS，其特征在于通过引入积累型区域，降低阈值电压和导通电阻；该结构体内嵌入场板，可以实现电荷平衡，在击穿电压相同的情况下，降低器件的导通电阻；槽型栅电极底部采用的厚氧结构，栅漏电容可以得到有效的降低。采用本发明可以在不影响反向击穿电压和泄漏电流的情况下，具有较大的正向电流、较小的阈值电压、较小的导通电阻以及较小的栅漏电容等特性。

主权项

一种积累型DMOS，包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极(1)、N+衬底(2)、N‑漂移区(3)和金属化源极(11)；所述N‑漂移区(3)上层具有N‑型轻掺杂区(8)和P型掺杂区(9)，所述N‑型轻掺杂区(8)位于P型掺杂区(9)之间；所述N‑型轻掺杂区(8)正上方具有N+重掺杂区(7)，所述P型掺杂区(9)正上方具有P+重掺杂区(10)；所述N+重掺杂区(7)和P+重掺杂区(10)的上表面与金属化源极(11)接触；还包括第一沟槽和第二沟槽；所述第一沟槽沿N+重掺杂区(7)上表面中部垂直向下依次贯穿N+重掺杂区(7)和N‑型轻掺杂区(8)后延伸入N‑漂移区(3)中；所述第二沟槽沿P+重掺杂区(10)上表面垂直向下依次贯穿N+重掺杂区(7)和N‑型轻掺杂区(8)后延伸入N‑漂移区(3)中；所述第一沟槽和第二沟槽中填充有氧化层(5)，所述第一沟槽中具有栅电极(4)，所述第二沟槽中具有场板(6)，所述场板(6)的上表面与金属化源极(11)接触。