[发明专利]鳍式场效应管的形成方法有效
| 申请号： | 201610527809.9 | 申请日： | 2016-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN107591327B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：在NMOS区域的鳍部侧壁上形成N区掩膜侧墙；在隔离结构上形成紧挨所述N区掩膜侧墙侧壁的支撑层；刻蚀去除位于所述NMOS区域栅极结构两侧部分厚度的鳍部，刻蚀后的NMOS区域鳍部与所述N区掩膜侧墙围成N区凹槽；在形成所述N区凹槽之后，去除所述支撑层；形成填充满所述N区凹槽的N型掺杂外延层。本发明中所述支撑层对N区掩膜侧墙起到支撑作用，避免了N区掩膜侧墙倒塌，从而提高形成的鳍式场效应管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：/n提供包括NMOS区域的衬底，所述衬底上具有凸出的鳍部，且所述衬底上具有覆盖鳍部侧壁的隔离结构，所述隔离结构顶部低于所述鳍部顶部；/n在所述NMOS区域隔离结构上形成栅极结构，所述栅极结构横跨所述鳍部，且覆盖鳍部的部分顶部和侧壁；/n在所述NMOS区域的鳍部侧壁上形成N区掩膜侧墙；/n在所述隔离结构上形成紧挨所述N区掩膜侧墙侧壁的支撑层；/n刻蚀去除位于所述NMOS区域栅极结构两侧部分厚度的鳍部，刻蚀后的NMOS区域鳍部与所述N区掩膜侧墙围成N区凹槽；/n在形成所述N区凹槽之后，去除所述支撑层；/n形成填充满所述N区凹槽的N型掺杂外延层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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