[发明专利]一种量子点转印方法有效

专利信息
申请号: 201610526184.4 申请日: 2016-06-30
公开(公告)号: CN106129083B 公开(公告)日: 2019-02-05
发明(设计)人: 陈超 申请(专利权)人: 纳晶科技股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 310052 浙江省杭州市滨*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种量子点转印方法,该方法包括:a:准备至少两枚印章,每枚印章的印模面上均设置有具有单一发光波长的量子点膜,不同印章上的量子点膜具有不同的发光波长;b:将设置有量子点膜的印章一一与过渡基板对准并相接触,使各量子点膜逐一转印到过渡基板上;c:将具有量子点膜的过渡基板与电致发光器件的导电基板对准并相接触,使量子点膜转印到电致发光器件的导电基板上。本发明的量子点转印方法中,大部分转印工序都发生在印章和过渡基板之间,当印章和过渡基板之间发生转印错误时,只需更换成本较低的过渡基板即可,不仅大大降低了导电基板上发生转印出错的几率,而且大大降低导电基板的报废率,节约企业成本。
搜索关键词: 一种 量子 点转印 方法
【主权项】:
1.一种量子点转印方法,其特征在于,包括以下步骤:a:准备至少两枚印章,每枚印章的印模面上均设置有具有单一发光波长的量子点膜,不同印章上的量子点膜具有不同的发光波长;b:将设置有量子点膜的印章一一与过渡基板对准并相接触,使各量子点膜逐一转印到过渡基板上;c:将具有量子点膜的过渡基板与电致发光器件的导电基板对准并相接触,使量子点膜转印到电致发光器件的导电基板上;所述的过渡基板表面设置有微格阵列,所述的微格阵列包含至少两个第一特定位置,至少两个所述的第一特定位置分别用于转印具有不同发光波长的量子点膜,且这些所述的第一特定位置互不重叠;所述的导电基板表面设置有像素阵列,所述的像素阵列包含至少两个第二特定位置,至少两个所述的第二特定位置分别用于转印具有不同发光波长的量子点膜,且用于转印同一量子点膜的所述第二特定位置与第一特定位置一一对应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于纳晶科技股份有限公司,未经纳晶科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610526184.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top