[发明专利]一种量子点转印方法有效
申请号: | 201610526184.4 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN106129083B | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | 陈超 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 310052 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种量子点转印方法,该方法包括:a:准备至少两枚印章,每枚印章的印模面上均设置有具有单一发光波长的量子点膜,不同印章上的量子点膜具有不同的发光波长;b:将设置有量子点膜的印章一一与过渡基板对准并相接触,使各量子点膜逐一转印到过渡基板上;c:将具有量子点膜的过渡基板与电致发光器件的导电基板对准并相接触,使量子点膜转印到电致发光器件的导电基板上。本发明的量子点转印方法中,大部分转印工序都发生在印章和过渡基板之间,当印章和过渡基板之间发生转印错误时,只需更换成本较低的过渡基板即可,不仅大大降低了导电基板上发生转印出错的几率,而且大大降低导电基板的报废率,节约企业成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 量子 点转印 方法 | ||
【主权项】:
1.一种量子点转印方法,其特征在于,包括以下步骤:a:准备至少两枚印章,每枚印章的印模面上均设置有具有单一发光波长的量子点膜,不同印章上的量子点膜具有不同的发光波长;b:将设置有量子点膜的印章一一与过渡基板对准并相接触,使各量子点膜逐一转印到过渡基板上;c:将具有量子点膜的过渡基板与电致发光器件的导电基板对准并相接触,使量子点膜转印到电致发光器件的导电基板上;所述的过渡基板表面设置有微格阵列,所述的微格阵列包含至少两个第一特定位置,至少两个所述的第一特定位置分别用于转印具有不同发光波长的量子点膜,且这些所述的第一特定位置互不重叠;所述的导电基板表面设置有像素阵列,所述的像素阵列包含至少两个第二特定位置,至少两个所述的第二特定位置分别用于转印具有不同发光波长的量子点膜,且用于转印同一量子点膜的所述第二特定位置与第一特定位置一一对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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