[发明专利]一种量子点发光二极管的电荷注入、传输及复合方法

摘要

本发明涉及一种量子点发光二极管的电荷注入、传输及复合方法，通过对QD‑LED的电子/空穴注入、传输及复合的过程进行理论研究，并结合对用于验证的一系列不同结构QD‑LED芯片的试验研究，并利用电学性能测试、电致发光光谱、稳态/瞬态荧光光谱，并采用量化计算方法，对QD‑LED的电子/空穴注入、传输及复合进行理论建模，诠释其电荷平衡机制，探明影响QD‑LED整体效率与其它性能的关键因素，提出合理有效的改进方案，最终得到高性能与长寿命的QD‑LED。此发明为提高QD‑LED的电荷平衡与整体效率提供理论基础及研究途径，对开发新型高效的QD‑LED显示器件具有重要的应用价值和研究意义。

主权项

一种量子点发光二极管的电荷注入、传输及复合方法，其特征步骤如下：（1）电子/空穴注入、传输与复合理论模型的建立；（2）QD‑LED验证芯片的结构表征（SEM、TEM、XRD、AFM）；（3）QD‑LED验证芯片的性能表征（EQE、EL、J‑V‑L）；（4）电子/空穴注入平衡表征（I‑V、漏电流）；（5）电子/空穴电荷平衡性能表征（EL、稳态/瞬态荧光）：用量子化学密度函数理论系统计算均聚物和共聚物不同连接方式的几何结构、能隙及电子性质；（6）QD‑LED性能的分析与评价；（7）QD‑LED结构对电荷平衡的影响分析；（8）QD‑LED电子/空穴注入、传输与复合机制的诠释；（9）QD‑LED芯片的性能优化；（10）新型QD‑LED的重新设计；（11）验证结构QD‑LED芯片的制备。