[发明专利]一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201610512028.2 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN106409918A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 吴胜利;王若铮;李欣予;张劲涛 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/283;H01L29/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司61200 | 代理人： | 齐书田 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构及其制备方法，属于平板显示器制造技术领域。复合高k绝缘层薄膜晶体管的结构包括沉积在基板上的栅电极，在栅电极上连续沉积三层复合绝缘层薄膜，然后在绝缘层上再溅射沟道层薄膜和源漏电极，沟道宽度为20～100μm。该复合高k绝缘层薄膜晶体管为底栅极结构，该复合绝缘层可以在保证绝缘耐压性能的前提下，降低绝缘层厚度，提高其介电常数，进而降低器件的开启电压和饱和电压，应用于TFT‑LCD中可以缩短响应时间，降低功耗，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 绝缘 薄膜晶体管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种复合高k绝缘层薄膜晶体管结构，其特征在于，包括基板(100)以及沉积在基板(100)上的栅电极(150)，栅电极(150)上依次沉积有第一绝缘层(200)、高k绝缘层(210)以及第二绝缘层(220)，第二绝缘层(220)上溅射有沟道层(300)，紧贴沟道层(300)对称设有两个源漏电极(350)，且两个源漏电极(350)之间的沟道宽度为20～100μm。
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