[发明专利]上电掉电复位电路及芯片

摘要

本发明涉及一种上电掉电复位电路及芯片。该电路包括启动电阻电路，PMOS管M1，PMOS管M2，NOMS管M3和NMOS管M4；启动电阻电路连接在电源和地之间，包括第一电阻分压模块、第二电阻分压模块、第三电阻分压模块和第四电阻分压模块；M1第一金属极、M2第一金属极也分别连接电源；M1第二金属极和M2栅极与第一电阻分压模块的第二金属极连接；M1栅极与第二电阻分压模块的第二金属极连接；M2第二金属极与M3第一金属极连接；M3第一金属极与M3栅极连接后连接M4栅极；M4第一金属极连接第三分压电阻模块的第二金属极；第四电阻分压模块的第二金属极、M3第二金属极和管M4第二金属极接地。

主权项

1.一种上电掉电复位电路，其特征在于，包括复位信号产生电路，所述复位信号产生电路包括：启动电阻电路，PMOS管M1，PMOS管M2，NOMS管M3和NMOS管M4；所述启动电阻电路包括第一电阻分压模块、第二电阻分压模块、第三电阻分压模块和第四电阻分压模块；所述第一电阻分压模块的第一金属极连接电源VDD，所述第一电阻分压模块的第二金属极连接所述第二电阻分压模块的第一金属极，所述第二电阻分压模块的第二金属极连接所述第三电阻分压模块的第一金属极，所述第三电阻分压模块的第二金属极连接所述第四电阻分压模块的第一金属极；且所述PMOS管M1的第一金属极、所述PMOS管M2的第一金属极也分别连接电源VDD；所述PMOS管M1的第二金属极和所述PMOS管M2的栅极均与所述第一电阻分压模块的第二金属极连接，且由所述PMOS管M2的栅极输出复位信号；所述PMOS管M1的栅极与所述第二电阻分压模块的第二金属极连接；所述PMOS管M2的第二金属极与所述NMOS管M3的第一金属极连接；所述NMOS管M3的第一金属极与所述NMOS管M3的栅极连接后连接所述NMOS管M4的栅极；所述NMOS管M4的第一金属极连接所述第三电阻分压模块的第二金属极；所述第四电阻分压模块的第二金属极、所述NMOS管M3的第二金属极和所述NMOS管M4的第二金属极接地。