[发明专利]EEPROM存储器的快速测试技术有效
申请号: | 201610506807.1 | 申请日: | 2016-06-30 |
公开(公告)号: | CN106205726B | 公开(公告)日: | 2020-02-04 |
发明(设计)人: | 刘吉平;唐伟;张怀东 | 申请(专利权)人: | 深圳市航顺芯片技术研发有限公司 |
主分类号: | G11C29/18 | 分类号: | G11C29/18;G11C29/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种EEPROM存储器的快速测试技术,其特征在于,包括:测试控制模块、高压控制模块、读取数据模块、数据比较模块、控制逻辑模块、数据判断模块以及EEPROM内的存储单元。本EEPROM存储器的写入数据和读取完全由内部逻辑控制完成,并且数据的比较过程以及测试判断过程也由内部逻辑控制实现,最终只要将测试结果信号送出即可。测试效率非常高效。测试过程中写入的数据并不采用棋盘测试数据(0x55和0xAA),而是采用EEPROM容易擦除和写入的0x00和0xFF测试数据来完成,可以大大提高测试效率。本发明测试方法的整个测试过程基本不依赖于外部测试资源。 | ||
搜索关键词: | eeprom 存储器 快速 测试 技术 | ||
【主权项】:
1.一种EEPROM存储器的快速测试方法,其特征在于,包括如下步骤:/nS101,接受测试命令,开始测试;/nS102,对EEPROM存储器内存储单元中的数据进行整体擦除;/nS103,读取EEPROM存储器内存储单元中的数据;/nS104,判断存储单元中的数据是否均为0x00,是,则执行S105,否则执行S109;/nS105,对EEPROM存储器内存储单元全部写入0xFF;该步骤中直接通过EEPROM内部电路对全部存储器单元置位来实现;/nS106,二次读取EEPROM存储器内存储单元中的数据;/nS107,判断EEPROM存储器内存储单元中的数据是否均为0xFF,是,则执行S108,否则执行S109;/nS108,判断为测试通过;/nS109,判断为测试失败。/n
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