[发明专利]晶片接合方法及发光二极管的制作方法有效
| 申请号： | 201610500628.7 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN105957932B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 钟秉宪;盛翠翠;董仲伟;吴俊毅;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供的晶片接合方法及发光二极管的制作方法，其透过预先改变异质材料在键合前的内应力，使得异质材料在键合后的翘曲度得以获得改善，所述晶片接合方法包括以下步骤：一种晶片接合的方法，包括步骤：（1）提供目标晶片和接合用晶片；（2）研磨接合用晶片的上表面，形成具有机械残留应力的粗糙面，使得所述接合用晶片呈现翘曲状态；（3）在所述接合用晶片上形成键合层；（4）将所述目标晶片与所述接合用晶片键合，所述接合用晶片的内应力抵消键合过程中因目标晶片与接合晶片的热膨胀系数不同所产生的内应力。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 接合 方法 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片接合的方法，包括步骤：（1）提供目标晶片和接合用晶片；（2）研磨所述接合用晶片的上表面，形成具有机械残留应力的粗糙面，使得所述接合用晶片呈现翘曲状态；（3）在所述接合用晶片的粗糙面上形成键合层；（4）将所述目标晶片与所述接合用晶片键合，所述接合用晶片的内应力抵消键合过程中因目标晶片与接合晶片的热膨胀系数不同所产生的内应力；（5）在所述接合晶片的下表面形成一具有张应力的电极层，所述电极层的张压力作用于其上结构，以抵消所述晶片接合后存在的压缩应力。
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