[发明专利]热处理装置和温度控制方法在审
| 申请号： | 201610499994.5 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN106298590A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 小原一辉;吉井弘治;和田祐辉;菊池仁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种热处理装置和温度控制方法。热处理装置将基板载置于设置在处理容器内的旋转台的表面，一边使旋转台旋转一边利用加热单元加热基板来进行规定的成膜处理，该热处理装置具备：接触型的第一温度测量单元，其对所述加热单元的温度进行测量；非接触型的第二温度测量单元，其在所述旋转台正在旋转的状态下对载置于所述旋转台的基板的温度进行测量；以及温度控制单元，其基于由所述第一温度测量单元测量出的第一测量值和由所述第二温度测量单元测量出的第二测量值来控制所述加热单元。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种热处理装置，将基板载置于设置在处理容器内的旋转台的表面，一边使旋转台旋转一边利用加热单元加热基板来进行规定的成膜处理，该热处理装置具备：接触型的第一温度测量单元，其对所述加热单元的温度进行测量；非接触型的第二温度测量单元，其在所述旋转台正在旋转的状态下对载置于所述旋转台的基板的温度进行测量；以及温度控制单元，其基于由所述第一温度测量单元测量出的第一测量值和由所述第二温度测量单元测量出的第二测量值来控制所述加热单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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