[发明专利]肖特基二极管用外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201610498573.0 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106098798A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王东盛;朱廷刚;李亦衡;张葶葶;王科;李仕强;张子瑜 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫;徐伟华 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基二极管用外延片及其制备方法。该二极管外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，外延片还包括覆盖在轻掺杂nGaN层的背离重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的AlN帽层，其中，的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。本发明的外延片，其表面层的势垒高、厚度极薄，使得电荷易隧穿，使制成的器件的反向击穿电压可显著提高，同时该外延片的位错密度低，使制成的器件的漏电较低，增加了器件的反向击穿电压和正向导通电流，延长了器件的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极 管用 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管用外延片，包括依次层叠设置的衬底、GaN二维生长层、SiNx模板层、GaN恢复层、重掺杂nGaN层、轻掺杂nGaN层，其特征在于，所述外延片还包括覆盖在所述轻掺杂nGaN层的背离所述重掺杂nGaN层一侧的另一侧面上的AlN帽层，其中，所述的衬底为带有AlN盖层的蓝宝石平片衬底，所述的SiNx模板层是在GaN二维生长层的背离所述衬底一侧的另一侧面上使用SiH4和NH3原位生长形成的，所述SiNx层的厚度低于一个原子层的厚度。
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