[发明专利]存储单元及存储器在审
| 申请号： | 201610485907.0 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107527641A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 叶晓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C7/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储单元及存储器，包括第一子存储单元，包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极连接选择栅极线，源极连接所述第二晶体管的漏极，漏极连接所述第一位线，所述第二晶体管的栅极连接第一字线，源极连接源极线；第二子存储单元，包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的栅极连接所述选择栅极线，源极连接所述第四晶体管的漏极，漏极连接所述第二位线，所述第四晶体管的栅极连接第二字线，源极连接所述源极线；其中，所述第一子存储单元和所述第二子存储单元的逻辑状态相反。本发明的存储单元读取过程中，不需要参考电流，存储单元读取的电流间隔更大，缩短读取的时间，提高读取的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
一种存储单元，其特征在于，包括：第一子存储单元，包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极连接选择栅极线，源极连接所述第二晶体管的漏极，漏极连接所述第一位线，所述第二晶体管的栅极连接第一字线，源极连接源极线；第二子存储单元，包括第三晶体管和第四晶体管，所述第三晶体管的栅极连接所述选择栅极线，源极连接所述第四晶体管的漏极，漏极连接所述第二位线，所述第四晶体管的栅极连接第二字线，源极连接所述源极线；其中，所述第一子存储单元和所述第二子存储单元的逻辑状态相反。
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