[发明专利]提高铜间隙填充能力的电镀方法

摘要

本发明公开了一种提高铜间隙填充能力的电镀方法，包括：步骤1、制造种子层；步骤2、在电镀腔内充满硫酸铜溶液；将硅片固定于阴极，将铜块固定于阳极；步骤3、在阴极和阳极之间加一震荡电场；所述震荡电场为多个循环的方波周期，每个方波周期T依次被分为第一时段t1、第二时段t2和第三时段t3；在第一时段t1，方波的频率为f1；在第二时段t2，方波的频率为f2；在第三时段t3，方波的频率为f3，则满足：f1：f2：f3＝5：20：4。本发明震荡电场，使得镀铜的过程为，先沉积，再轻微刻蚀，最后再沉积，并反复这一过程的方法。这样增加了轻微的刻蚀过程，可以调整沉积过程中的不均匀部分，使之重新沉积，最后达到均匀沉积的目的。

主权项

一种提高铜间隙填充能力的电镀方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤1、制造种子层；使用铜先驱物进行CVD沉积；所述铜先驱物为Cu(hfac)(TMVS)；步骤2、在电镀腔内充满硫酸铜溶液；将硅片固定于阴极，将铜块固定于阳极；步骤3、在阴极和阳极之间加一震荡电场；所述震荡电场为多个循环的方波周期，每个方波周期T依次被分为第一时段t1、第二时段t2和第三时段t3；第一时段、第二时段和第三时段的时间长度满足：t1：t2：t3＝25：1：20；在第一时段t1，方波的频率为f1；在第二时段t2，方波的频率为f2；在第三时段t3，方波的频率为f3，则满足：f1：f2：f3＝5：20：4。