[发明专利]一种针对背镀晶片的清洗工艺

摘要

本发明涉及一种针对背镀晶片的清洗工艺。该清洗方法包括氧气等离子体清洗、稀盐酸溶液清洗、水洗和干燥步骤。经本发明方法清洗的晶片背面洁净，粘附性较好，保证了背镀的可靠性和稳定性，提高了芯片的良率；且该清洗方法生产效率显著提高，用于蓝宝石晶片背镀工艺前的清洗。

主权项

1.一种晶片背镀前的清洗方法，所述晶片包括形成有器件的有源面及未形成有器件的背面，包括步骤：将减薄的晶片背面进行氧气等离子体清洗处理；然后，将晶片置于稀盐酸溶液中静置5‑30秒，立即取出，所述稀盐酸溶液是质量分数为36‑38%的盐酸和水按体积比为1：5~60配制而成；然后，水洗并通氮气；然后，将晶片用加热的氮气吹干，吹干后，晶片进行高真空保存；其中，所述晶片是蓝宝石衬底晶片；所述晶片背面进行氧气等离子体清洗处理是：将晶片放置在氧气等离子体清洗机内，将晶片的背面朝向等离子体射频集中的方向，主要清洗晶片的背面；所述的氧气等离子体清洗机使用的射频功率为300‑1200w，工作时间为1‑10分钟，所用的氧气流量为5‑50sccm。