[发明专利]具有第一和第二功率FET的固态双向开关有效
申请号: | 201610474649.6 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN105977300B | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | M.菲尔德沃斯;A.毛德 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H03K17/687 |
代理公司: | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 周学斌;刘春元<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 奥地利*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
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摘要: | 本发明涉及具有第一和第二功率FET的固态双向开关。根据实施例,一种固态双向开关包括彼此反序电连接的第一和第二功率场效应晶体管。第一和第二功率场效应晶体管中的每个都包括源极区域、漏极区域、主体区域、栅极端子、漂移区域、和漂移控制区域,该主体区域与源极区域形成pn结并且具有反型沟道区域,该漂移区域在该主体区域和该漏极区域之间并且具有积累沟道区域,并且该漂移控制区域与该积累沟道区域相邻。该积累沟道区域通过该漂移控制区域可控。该固态双向开关进一步包括与第一和第二功率场效应晶体管的栅极端子连接的控制器。 | ||
搜索关键词: | 具有 第一 第二 功率 fet 固态 双向 开关 | ||
【主权项】:
1.一种固态双向开关,包括:/n公共引线框架,其包括金属层;/n第一和第二功率场效应晶体管,其每个都包括源极金属喷镀、栅极金属喷镀、和漏极金属喷镀,所述第一和第二功率场效应晶体管的所述漏极金属喷镀与所述公共引线框架的所述金属层接触;/n控制器,其包括至少一个参考端子和输出端子,所述参考端子与所述公共引线框架的所述金属层电连接,并且所述输出端子从所述公共引线框架的所述金属层绝缘并且操作成控制所述第一和第二功率场效应晶体管;以及/n第一电平移位器,其将该控制器的至少一个输出端子与该第一功率场效应晶体管的栅极金属喷镀连接;以及/n第二电平移位器,其将该控制器的至少一个输出端子与该第二功率场效应晶体管的栅极金属喷镀连接。/n
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