[发明专利]一种基于纳米线的高电子迁移率晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610473359.X | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN107546125B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘源;保罗·邦凡蒂 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/775 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于纳米线的高电子迁移率晶体管及其制作方法，所述方法包括如下步骤：S1：制作悬空的III‑V族材料纳米线作为支撑梁；S2：于所述纳米线表面形成环绕的沟道材料层；所述沟道材料层由内而外依次由GaN层及AlGaN层叠加而成；S3：于所述沟道材料层表面形成环绕的栅区结构层。所述晶体管中，沟道材料层及栅区结构层均全包围纳米线，可以获得更好的栅控制能力，并避免短沟道效应；沟道材料层采用GaN/AlGaN双层结构，GaN/AlGaN异质结界面处形成的二维电子气可以降低界面载流子散射，实现很高的电子迁移率；纳米线采用III‑V族材料，使得纳米线不仅可以作为支撑梁，还可以作为沟道材料层的缓冲层，有利于沟道材料层在纳米线上的选择性外延生长，降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于纳米线的高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：制作悬空的III‑V族材料纳米线作为支撑梁；S2：于所述纳米线表面形成环绕所述纳米线的沟道材料层；所述沟道材料层由内而外依次由GaN层及AlGaN层叠加而成；S3：于所述沟道材料层表面形成环绕所述纳米线的栅区结构层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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