[发明专利]切割晶片的方法

摘要

一种切割晶片的方法包括：提供晶片；以及蚀刻晶片，以使限定在晶片的内部区内的切口线区段之间的管芯单片化，并且使在切口线区段与晶片的圆周边缘之间的多个晶片边缘区域单片化。多个晶片边缘区域中的每一个通过如下切口线被单片化：切口线中的每条均在切口线区段之一的两个端点中的一个端点与晶片的圆周边缘之间延伸。

主权项

1.一种切割晶片的方法，所述方法包括：提供晶片；以及蚀刻所述晶片，以使限定在所述晶片的内部区内的切口线区段之间的管芯单片化，并且使在所述切口线区段与所述晶片的圆周边缘之间的多个晶片边缘区域单片化，其中，所述切口线区段包括N个平行切口线区段，其中，N为等于或大于3的整数，其中，所述多个晶片边缘区域中的一个或更多个通过如下切口线被单片化：所述切口线中的每条均在所述N个平行切口线区段中的每M个切口线区段的两个端点中的一个端点与所述晶片的圆周边缘之间延伸，并且其中，M为等于或大于2并且等于或小于N的整数。