[发明专利]单晶硅碎颗粒埚底料化学石英脱离处理方法在审
| 申请号： | 201610469497.0 | 申请日： | 2016-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN106006646A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 王民磊;郭会杰;刘国军;刘富强;方圆;杨国辰;武肖伟 | 申请（专利权）人： | 河南盛达光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 安阳市智浩专利代理事务所 41116 | 代理人： | 王好勤 |
| 地址： | 456400 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 单晶硅埚底碎颗粒料化学石英脱离处理方法，涉及太阳能硅料洗料技术，依次进行以下步骤：a将物理方法无法脱离的单晶硅锅底料，破碎成直径15mm以内的颗粒状，装入pp浸泡花篮；b取NaOH片碱用自来水溶解，碱液浓度控制在15%以内；c将调配好的NaOH溶液加入到半自动恒温清洗机内进行加热，碱液温度控制在70‑80℃，将装单晶硅埚底碎料的花篮放入碱溶液内，用四氟棒进行均匀搅拌20‑25分钟，然后用水进行浸泡冲洗；d利用离心机、烘箱对其进行脱水、烘干，硅料与石英即可分离。本发明的有益效果：通过利用NaOH溶液对硅的异性腐蚀原理实现单晶硅埚底料中石英与硅料的分离，此项技术分离效率高、成本低、环境污染小等优点；从而达到降本增效的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 颗粒 埚底料 化学 石英 脱离 处理 方法 | ||
【主权项】：
单晶硅埚底碎颗粒料化学石英脱离处理方法，其特征在于依次采用以下步骤：a将物理方法无法脱离的单晶硅锅底料，破碎成直径15mm以内的颗粒状，取20千克装入pp浸泡花篮；b取15千克含量为99%的NaOH片碱用85升自来水溶解，碱液浓度控制在15%以内；c将调配好的NaOH溶液加入到半自动恒温清洗机内进行加热，碱液温度控制在70‑80℃，将装单晶硅碎埚底料的花篮放入碱溶液内，每隔5分钟用四氟棒进行均匀搅拌，时间控制在20‑25分钟之间，然后用水进行浸泡冲洗，去除硅料表面碱液残留；d利用离心机、烘箱对其进行脱水、烘干，硅料与石英即可分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南盛达光伏科技有限公司，未经河南盛达光伏科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610469497.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
