[发明专利]具有垂直型跨接结构电极的水平式半导体元件有效
申请号: | 201610458409.7 | 申请日: | 2016-06-22 |
公开(公告)号: | CN106981508B | 公开(公告)日: | 2020-01-31 |
发明(设计)人: | 黄智方;郑克勇;杨伟臣;张庭辅;朱柏儒;林建霖;廖雅竹;曾心颖 | 申请(专利权)人: | 黄智方 |
主分类号: | H01L29/41 | 分类号: | H01L29/41 |
代理公司: | 11355 北京泰吉知识产权代理有限公司 | 代理人: | 史瞳;谢琼慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种具有垂直型跨接结构电极的水平式半导体元件,包含一基板、一绝缘缓冲层、一外延单元、一第一电极,及一第二电极。该基板具有导电性,包括一第一表面,该绝缘缓冲层设置于该基板的该第一表面,该外延单元设置于该绝缘缓冲层上,该第一电极设置于该外延单元上,该第二电极包括一与该第一电极间隔设置并位于该外延单元上的第一电极部,及自该第一电极部延伸而与该基板的该第一表面相接触的第二电极部,让该第二电极部延伸至该第一表面,使水平式半导体元件的两电极位于基板的两相反面,以减少元件面积的使用。 | ||
搜索关键词: | 具有 垂直 型跨接 结构 电极 水平 半导体 元件 | ||
【主权项】:
1.一种具有垂直型跨接结构电极的水平式半导体元件,包含:一个基板、一层绝缘缓冲层、一个外延单元、一个第一电极,及一个第二电极,其特征在于:该基板具有导电性并包括一个第一表面,该绝缘缓冲层设置于该基板的该第一表面,该外延单元设置于该绝缘缓冲层上,该第一电极设置于该外延单元上,该第二电极包括一个与该第一电极间隔设置并位于该外延单元上的第一电极部,及一个自该第一电极部延伸而与该基板的该第一表面相接触的第二电极部。/n
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