[发明专利]一种LTPS的制备工艺在审
| 申请号： | 201610456801.8 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN107526190A | 公开（公告）日： | 2017-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张帆;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;C23C18/12 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 陈卫,禹小明 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种LTPS的制备工艺，使用正硅酸乙酯来制备LTPS中的SiOX膜层，具体步骤为将正硅酸乙酯与弱酸溶液混合，制成溶胶，再将溶胶涂覆并形成SiOX膜层；适当加厚栅极绝缘层的SiOX层并去掉该层的SiNX。由于TEOS所制备SiOX膜质更加致密而且不含有氮成分，使得与多晶硅层界面接触后界面缺陷减少，不会造成过大的平带电压漂移；并且由于栅极绝缘层结构改变和膜质的改变，Contect Hole只需简单分为氧化硅和氮化硅刻蚀，且通过改变刻蚀气体比例等工艺参数可改善形貌、CD Loss等刻蚀结果；由于膜层均匀性的可控性加强，对于刻蚀后的线宽更容易控制，从而有利于实现窄边框化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ltps 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种LTPS的制备工艺，其特征在于，使用正硅酸乙酯来制备LTPS中的SiOX膜层。
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