[发明专利]三维传感器、系统和相关的方法有效
| 申请号： | 201610440074.6 | 申请日： | 2012-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN106158895B9 | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 蒋巨涛;J·麦基;H·阿达;C·S·宏 | 申请（专利权）人： | 西奥尼克斯公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供3D传感器、系统和相关的方法。在一个方面，例如，用于检测红外光和可见光的单片式3D传感器可包含具有器件表面的半导体衬底，在器件表面上形成的至少一个可见光光电二极管和邻近该至少一个可见光光电二极管在器件表面上形成的至少一个3D光电二极管。器件可进一步包含功能上耦合至该至少一个3D光电二极管且被安置以与电磁辐射相互作用的量子效率提高的红外光区域。在一个方面，量子效率提高的红外光区域是位于器件表面的纹理化区域。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 传感器 系统 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于探测红外光和可见光的系统，包括：/n用于探测红外光和可见光的单片3D传感器，其包括：/n具有器件表面的半导体衬底；/n在所述器件表面处形成的至少一个可见光光电二极管；/n接近所述至少一个可见光光电二极管、在所述器件表面处形成的至少一个3D光电二极管；和/n功能上耦合至所述至少一个3D光电二极管且被安置以便与电磁辐射相互作用的量子效率提高的红外光区域；/n可操作用以发射由所述3D光电二极管可探测的红外光的红外光源；和/n所述红外光源和所述3D光电二极管之间的同步电路，其将红外光3D光电二极管的探测与所述红外光源的脉冲同步，/n其中所述至少一个可见光光电二极管和所述至少一个3D光电二极管通过至少一个沟道隔离特征彼此隔开。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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