[发明专利]一种自发光器件、制备方法及显示装置有效
申请号: | 201610437934.0 | 申请日: | 2016-06-17 |
公开(公告)号: | CN105895826B | 公开(公告)日: | 2019-01-25 |
发明(设计)人: | 何超 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开一种自发光器件,包括:第一电极层、第二电极层、设置于第一电极层、第二电极层之间的发光层、设置于第一电极层、第二电极层之间或之外的绝缘层;其中,绝缘层、第一电极层、第二电极层中至少一层体通过温度和/或压力变化产生高低折射率物质混合结构,以提高发光效率。本发明还公开一种自发光器件的制备方法及显示装置。通过上述方式,本发明能够使得发光层发出的光线经过高低折射率物质混合结构时发生折射和/或散射,减少在界面上发生全反射的光线,增加透光率,从而有效提高自发光器件的光提取效率,同时本发明利用温度和/或压力的变化进行加工生产,生产成本低,且适合大规模制作。 | ||
搜索关键词: | 一种 发光 器件 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种自发光器件,其特征在于,包括:第一电极层、第二电极层、设置于所述第一电极层、第二电极层之间的发光层;其中,所述第一电极层或所述第二电极层含有通过温度和/或压力变化产生高低折射率物质混合结构的双层结构,所述双层结构中一层用于实现第一电极层或第二电极层的基本功能,另一层用于形成高低折射率物质混合结构以提高发光效率,所述高低折射率混合结构是厚度为0.5‑1.5μm的氮化硅薄膜中含有直径大小为1‑10nm微孔的混合结构,且所述微孔为在所述氮化硅薄膜中同时注入多种惰性气体离子所形成的不同大小和形状的所述微孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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