[发明专利]基于纳米孔周期阵列的非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池有效
申请号: | 201610425454.2 | 申请日: | 2016-06-16 |
公开(公告)号: | CN106024932B | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | 杨柳;戴浩;何赛灵 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司33200 | 代理人: | 林松海 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于纳米孔周期阵列的非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池,顶部透明电极均匀覆盖在非晶硅顶电池上,微晶硅底电池位于非晶硅顶电池下方并与之构成串联结构;底部透明导电氧化物位于微晶硅底电池和金属背反射电极之间;低折射率纳米孔周期阵列起始于顶部透明电极并深入非晶硅顶电池和微晶硅底电池中。本发明通过对纳米孔周期阵列的材料和结构尺寸进行优化,调控子电池光吸收特性,达到子电池光电流的匹配和增强的光电流;选择不同的顶部透明电极和底部透明导电氧化物,可进一步提高光吸收效率和光电流;纳米孔周期阵列的引入可减小非晶硅顶电池的体积,大大消弱非晶硅材料固有的光致衰退效应,稳定高。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 周期 阵列 非晶硅 微晶硅叠层 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种基于纳米孔周期阵列的非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池,其特征在于,包括顶部透明电极(1)、非晶硅顶电池(2)、微晶硅底电池(3)、低折射率纳米孔周期阵列(4)、底部透明导电氧化物(5)、金属背反射电极(6);顶部透明电极(1)均匀覆盖在非晶硅顶电池(2)上,微晶硅底电池(3)位于非晶硅顶电池(2)下方并与之构成串联结构;底部透明导电氧化物(5)位于微晶硅底电池(3)和金属背反射电极(6)之间;低折射率纳米孔周期阵列(4)贯穿顶部透明电极(1)并深入非晶硅顶电池(2)和微晶硅底电池(3)中;所述的非晶硅顶电池(2)厚度小于等于300 nm,微晶硅底电池(3)厚度小于等于2 μm,且两电池均为n‑i‑p结;所述的低折射率纳米孔周期阵列(4)的折射率低于非晶硅和微晶硅的折射率;所述的低折射率纳米孔周期阵列(4)贯穿顶部透明电极(1)并深入非晶硅顶电池(2)和微晶硅底电池(3)中,基于低折射率纳米孔周期阵列(4)增强的光散射和光局域特性调控非晶硅顶电池(2)和微晶硅底电池(3)的光吸收效率 ,进而协调两电池的光电流分配,实现光电流匹配;同时纳米孔周期阵列的引入可减小非晶硅顶电池体积,进而消弱非晶硅材料固有的光致衰退效应,器件稳定性高。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610425454.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的