[发明专利]一种MRAM芯片及其自刷新方法在审
| 申请号： | 201610424493.0 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107516539A | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;叶力 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙)31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MRAM芯片，包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列与控制电路连接，控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制，MRAM芯片还包括自刷新控制器、定时器以及用于存储上次刷新位置的非易失存储器。本发明还提供一种MRAM芯片的自刷新方法。本发明提供的MRAM芯片及其自刷新方法，通过一定数据刷新周期的自刷新能够保证数据的安全性；根据温度调整自刷新的数据刷新周期，能够更有效地保证数据的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mram 芯片 及其 刷新 方法 | ||
【主权项】：
一种MRAM芯片，包括一个或多个由MRAM存储单元组成的阵列，每个阵列与控制电路连接，所述控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器以及输入输出控制，其特征在于，所述MRAM芯片还包括自刷新控制器、定时器以及用于存储上次刷新位置的非易失存储器。
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