[发明专利]一种MRAM芯片及其自测试方法在审
| 申请号： | 201610423370.5 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107516545A | 公开（公告）日： | 2017-12-26 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;叶力;俞华樑 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/18 | 分类号： | G11C29/18;G11C29/30;G11C29/42 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙)31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MRAM芯片，包括一个或多个阵列，阵列包括由MRAM存储单元组成的存储行，每个阵列与控制电路连接，控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器与输入输出控制，控制电路还包括自测试控制器，每个阵列包括多个备用行，备用行用于替换具有损坏的MRAM存储单元的行。本发明还提供一种MRAM芯片的自测试方法。本发明提供的MRAM芯片及其自测试方法，通过自测试，将检测到的具有损坏的MRAM存储单元的存储行的数据存储到替换备用行中，提高了MRAM芯片的数据可靠性及使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mram 芯片 及其 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种MRAM芯片，包括一个或多个阵列，阵列包括由MRAM存储单元组成的存储行，每个阵列与控制电路连接，所述控制电路包括行地址解码器、列地址解码器、读写控制器与输入输出控制，其特征在于，所述控制电路还包括自测试控制器，每个所述阵列包括多个备用行，所述备用行用于替换具有损坏的MRAM存储单元的行。
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