[发明专利]一种薄膜封装的植球工艺有效
| 申请号： | 201610422220.2 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106252237B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王庆梅;孙家远;万新欣;张磊 | 申请（专利权）人： | 全讯射频科技(无锡)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H05K3/12 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) 32227 | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜封装的植球工艺，将锡膏印刷到金属镀层上，再进行回流焊，锡膏在回流焊的过程中熔化形成锡球并与金属镀层相连接,回流焊包括以下步骤：a.升温区升温，控制预热区的温度以1.5‑1.7℃/s的速率上升至175℃‑185℃之间；b.吸热区锡膏融化，控制吸热区的温度以0.3‑0.4℃/s的速率上升至220℃,保持温度大于219℃，直至锡膏呈完全融化状态；c.回流焊区回流焊接，控制温度以0.15‑0.25℃/s的速率升高至温度峰值235℃‑245℃，保持锡膏处在液化状态的时间为120s‑160s；d.冷却区冷却，控制温度以1.5‑1.7℃/s的速率减小，直至温度减小至80℃‑100℃，停止冷却。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 封装 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜封装的植球工艺，将锡膏印刷到金属镀层上，再进行回流焊，所述锡膏在回流焊的过程中熔化形成锡球并与所述金属镀层相连接，其特征在于：所述金属镀层的厚度至少比金属镀层附件的厚度高出3.5um，回流焊包括以下步骤：步骤a：升温区升温，控制预热区的温度以1.5‑1.7℃/s的速率上升至175℃‑‑185℃之间；步骤b：吸热区锡膏融化，控制吸热区的温度以0.3‑0.4℃/s的速率上升至220℃，保持温度大于219℃，直至锡膏完全融化处于液化状态；步骤c：回流焊区回流焊接，控制温度以0.15‑0.25℃/s的速率升高至温度峰值235℃‑245℃，保持锡膏处在液化状态的时间为120s‑160s；步骤d：冷却区冷却，控制温度以1.5‑1.7℃/s的速率减小，直至温度减小至80‑100℃，停止冷却。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
