[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤。在基板上形成栅极。形成绝缘层，以覆盖栅极。在绝缘层上形成第一金属氧化物半导体层与第二金属氧化物半导体层，并图案化第一金属氧化物半导体层与第二金属氧化物半导体层，以形成第一金属氧化物半导体图案与第二金属氧化物半导体图案。第一金属氧化物半导体层是在第一氧气浓度下形成。第二金属氧化物半导体层是在第二氧气浓度下形成。第二氧气浓度大于第一氧气浓度。在第二金属氧化物半导体图案上形成源极与漏极。本发明的薄膜晶体管的制造方法可制作出性能佳的薄膜晶体管，且本发明的薄膜晶体管的性能佳。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上形成栅极；形成绝缘层，以覆盖所述栅极；在所述绝缘层上形成第一金属氧化物半导体层与第二金属氧化物半导体层，并图案化所述第一金属氧化物半导体层与所述第二金属氧化物半导体层，以形成第一金属氧化物半导体图案与第二金属氧化物半导体图案，其中所述第一金属氧化物半导体图案位在所述第二金属氧化物半导体图案与所述绝缘层之间，所述第一金属氧化物半导体层是在第一氧气浓度下形成，所述第二金属氧化物半导体层是在第二氧气浓度下形成，而所述第二氧气浓度大于所述第一氧气浓度；以及在所述第二金属氧化物半导体图案上形成源极与漏极。