[发明专利]一种铜纳米线导电体的处理方法有效
| 申请号： | 201610417155.4 | 申请日： | 2016-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN107492421B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 孙静;王晓;王冉冉;王焱 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B1/02;H01B5/14;B22F9/24;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铜纳米线导电体的处理方法，所述处理方法包括：将银盐溶于溶剂中配制处理液，并控制所述处理液的pH值为0.5～7，优选2～6；以及将铜纳米线导电体至少部分地与所述处理液接触规定时间进行活化处理以活化所述铜纳米线导电体并在所述铜纳米线导电体上沉积银纳米颗粒。本发明可以获得具有良好导电性和稳定性的铜纳米线导电体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 导电 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铜纳米线导电体的处理方法，其特征在于，所述处理方法包括：将银盐溶于溶剂中配制处理液，加入酸和醇中的至少一种并控制所述处理液的pH值为0.5～6；以及将由铜纳米线相互搭接而构筑成的铜纳米线导电体至少部分地与所述处理液接触规定时间进行活化处理以活化所述铜纳米线导电体并在所述铜纳米线导电体上沉积银纳米颗粒，所述银纳米颗粒沉积在铜纳米线表面以及铜纳米线连接点处。
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