[发明专利]共平面型双栅电极氧化物薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201610414032.5 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN106098784A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 谢应涛 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L29/417;H01L21/34;H01L21/44 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;侯艺 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种共平面型双栅电极氧化物薄膜晶体管，包括基板、形成于基板上方的底栅电极；形成于底栅电极上方的第一栅极绝缘层；形成于第一栅极绝缘层上方的氧化物半导体层；形成于所述氧化物半导体层两侧的源极接触区和漏极接触区；形成于半导体成上方的第二栅极绝缘层；形成于第二栅极绝缘层上方的顶栅电极；其中，基板上表面朝向自身内部凹陷形成凹槽，底栅电极形成于凹槽中，使底栅电极上表面与基板上表面处于同一水平面。本发明的薄膜晶体管同时兼具双栅电极和共平面结构的特点，可提高薄膜晶体管的稳定性、优化其响应速度、降低驱动电压等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 型双栅 电极 氧化物 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种共平面型双栅电极氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述共平面型双栅电极氧化物薄膜晶体管包括：基板；形成于所述基板上方的底栅电极；形成于所述底栅电极上方的第一栅极绝缘层；形成于所述第一栅极绝缘层上方的氧化物半导体层；形成于所述氧化物半导体层两侧的源极接触区和漏极接触区；形成于所述半导体成上方的第二栅极绝缘层；形成于所述第二栅极绝缘层上方的顶栅电极；其中，所述基板上表面朝向自身内部凹陷形成凹槽，所述底栅电极形成于所述凹槽中，使所述底栅电极上表面与所述基板上表面处于同一水平面。
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