[发明专利]一种表征二维纳米材料的方法有效
| 申请号： | 201610405276.7 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN107473179B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 柳鹏;赵伟;林晓阳;周段亮;张春海;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y35/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种表征二维纳米材料的方法，该方法包括：将二维纳米材料样品设置于一真空环境中；采用电子束照射该二维纳米材料样品，从而使所述电子束从所述二维纳米材料样品透射之后形成透射电子束与衍射电子束，并在一成像装置上成像；获取衍射电子束与透射电子束之间的夹角θ以及电子束的波长λ；以及根据公式dsinθ＝λ计算所述二维纳米材料样品的点阵周期d。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表征 二维 纳米 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表征二维纳米材料的方法，该方法包括：将二维纳米材料样品设置于一真空环境中；采用电子束照射该二维纳米材料样品，从而使所述电子束从所述二维纳米材料样品透射之后形成透射电子束与衍射电子束，并在同一成像装置上成像；获取衍射电子束与透射电子束之间的夹角θ以及电子束的波长λ；以及根据公式dsinθ＝λ计算所述二维纳米材料样品的点阵周期d。
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