[发明专利]一种表征二维纳米材料的方法

权利要求书

1.一种表征二维纳米材料的方法，该方法包括：

将二维纳米材料样品设置于一真空环境中；

采用电子束照射该二维纳米材料样品，从而使所述电子束从所述二维纳米材料样品透射之后形成透射电子束与衍射电子束，并在同一成像装置上成像；

获取衍射电子束与透射电子束之间的夹角θ以及电子束的波长λ；以及

根据公式dsinθ＝λ计算所述二维纳米材料样品的点阵周期d。

2.如权利要求1所述的表征二维纳米材料的方法，其特征在于，所述将二维纳米材料样品设置于一真空环境中的方法为：将该二维纳米材料样品设置于一碳纳米管拉膜上；以及将该二维纳米材料样品和碳纳米管拉膜一起固定于一样品支架上。

3.如权利要求1所述的表征二维纳米材料的方法，其特征在于，所述采用电子束照射该二维纳米材料样品的方法为：采用大于该二维纳米材料样品的电子束照射整个样品表面。

4.如权利要求1所述的表征二维纳米材料的方法，其特征在于，所述采用电子束照射该二维纳米材料样品的方法为：采用小于该二维纳米材料样品的电子束照射样品的局部表面或扫描整个表面。

5.如权利要求1所述的表征二维纳米材料的方法，其特征在于，所述在成像装置上成像的方法为：在成像装置上同时形成透射斑和衍射环。

6.如权利要求1所述的表征二维纳米材料的方法，其特征在于，所述获取衍射电子束与透射电子束之间的夹角θ的方法为：采用图像处理模块对采集的图像进行处理从而获取衍射环半径R；采用距离控制模块获取采集图像时所述样品与成像装置之间的距离D；以及采用计算模块根据衍射环半径R和所述样品与成像装置之间的距离D计算出衍射电子束与透射电子束之间的夹角θ。

7.如权利要求1所述的表征二维纳米材料的方法，其特征在于，所述成像装置为CCD图像传感器，通过该CCD图像传感器采集透射电子和衍射电子的图像，并发送至一控制电脑。

8.如权利要求1所述的表征二维纳米材料的方法，其特征在于，所述电子束能量为800eV-3000eV，电子束流为0.1微安-1微安，且电子束斑直径为100微米-6毫米。

9.如权利要求1所述的表征二维纳米材料的方法，其特征在于，进一步包括:使所述二维纳米材料样品表面吸附分子材料。

10.如权利要求1所述的表征二维纳米材料的方法，其特征在于，进一步包括:对该二维纳米材料样品进行加热，所述加热范围为从室温到1500K。