[发明专利]一种量子干涉器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610404295.8 | 申请日： | 2016-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN106058036B | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 王浩敏;谢红;李蕾;王慧山;杨鹏;谢晓明;江绵恒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L39/00 | 分类号： | H01L39/00;H01L39/16;H01L39/24 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种量子干涉器件结构及其制备方法，该结构包括：第一超导层；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电层之上的第二超导层；与所述石墨烯或二维半导体薄膜层接触的金属层。本发明的量子干涉器件结构以石墨烯或MoS2等半导体材料作为器件有效层，利用超导薄膜作为磁场屏蔽，可用于研究石墨烯、半导体等材料的各种量子霍尔效应特性，并可应用于利用该种特性的量子干涉器件及传感器等器件中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 干涉 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种量子干涉器件结构，其特征在于，包括：第一超导层，其中，所述第一超导层包括第一超导图形阵列；位于所述第一超导层之上的第一介电层；位于所述第一介电层之上的石墨烯或二维半导体薄膜层，其中，所述石墨烯或二维半导体薄膜层具有霍尔结构；位于所述石墨烯或二维半导体薄膜层之上的第二介电层；位于所述第二介电层之上的第二超导层，其中，所述第二超导层包括第二超导图形阵列；与所述石墨烯或二维半导体薄膜层接触的金属层；其中，所述石墨烯或二维半导体薄膜层与所述第一超导层和所述第二超导层之间分别由所述第一介电层和所述第二介电层隔离；所述金属层不与所述第一超导层和所述第二超导层接触。
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