[发明专利]静电放电电源轨箝位电路有效

专利信息
申请号: 201610397872.5 申请日: 2016-06-07
公开(公告)号: CN106257670B 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 赖大伟;吉多·沃特·威廉·夸克斯;吉耶兹·简·德拉德 申请(专利权)人: 恩智浦有限公司
主分类号: H01L27/06 分类号: H01L27/06;H01L27/02
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 荷兰埃因霍温高科*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开一种静电放电电源轨箝位电路和一种包括该静电放电电源轨箝位电路的集成电路。该电源轨箝位电路包括第一电源轨、第二电源轨和第一节点。该电路另外包括n沟道场效应晶体管,该n沟道场效应晶体管具有位于半导体衬底的隔离p阱中的源极和漏极。该漏极连接到该第一电源轨。该源极和隔离p阱连接到该第一节点。该电路还包括连接在该第一节点与该第二电源轨之间的电容器。该电路另外包括连接在该第一电源轨与该第一节点之间的电阻器。该电路还包括用于控制该场效应晶体管的栅极的反相器,其中该反相器具有连接到该第一节点的输入端。该电路另外包括连接在该第一节点与该第二电源轨之间的可控硅整流器。
搜索关键词: 静电 放电 电源 箝位 电路
【主权项】:
一种静电放电(ESD)电源轨箝位电路,其特征在于,包括:第一电源轨;第二电源轨;第一节点;n沟道场效应晶体管,所述n沟道场效应晶体管包括位于半导体衬底的隔离p阱中的源极和漏极,其中所述漏极连接到所述第一电源轨,并且其中所述源极和所述隔离p阱连接到所述第一节点;电容器,所述电容器连接在所述第一节点与所述第二电源轨之间;电阻器,所述电阻器连接在所述第一电源轨与所述第一节点之间;反相器,所述反相器用于控制所述场效应晶体管的栅极,其中所述反相器具有连接到所述第一节点的输入端;以及可控硅整流器,所述可控硅整流器连接在所述第一节点与所述第二电源轨之间,用于将流过所述场效应晶体管的ESD电流放电到所述第二电源轨。
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