[发明专利]一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法

摘要

本发明实施例公开了一种非易失性存储器的坏点单元的替换方法，该替换方法包括：在检测到完成待擦除块的擦除操作后，确定非易失存储器中其他未进行擦除操作的存储块；如果所述非易失性存储器中存在可替换单元，则对所述存储块中的存储单元进行坏点检测；如果所述存储块中存在坏点单元，则将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息。利用该替换方法，能够在对待擦除块进行擦除操作后检测非易失性存储器其他存储块中是否存在坏点单元，并在检测出坏点单元后进行坏点单元替换，由此避免坏点单元对非易失性存储器工作性能的影响，提高产品性能的同时还延长了非易失性存储器的使用寿命。

主权项

1.一种非易失性存储器中坏点单元的替换方法，其特征在于，包括：在检测到完成待擦除块的擦除操作后，确定非易失性存储器中其他未进行擦除操作的存储块；如果所述非易失性存储器中存在可替换单元，则对所述存储块中的存储单元进行坏点检测；所述对所述存储块中的存储单元进行坏点检测，具体包括：基于设定的第一读电压对所述存储块中的存储单元进行读操作，并根据读操作确定所述的存储单元的存储状态；如果所述存储单元的存储状态为擦除状态，则对所述存储单元进行第一坏点检测操作；如果所述存储单元的存储状态为编程状态，则对所述存储单元进行第二坏点检测操作；对所述存储单元进行第一坏点检测操作，包括：基于设定的第二读电压对所述存储单元进行读操作，并根据读操作确定所述存储单元的存储状态，其中，所述第二读电压小于所述第一读电压；如果所述存储单元的存储状态为编程状态，则确定所述存储单元发生阈值电压漂移，记所述存储单元为坏点单元且记所述坏点单元的存储状态为编程状态；如果所述存储块中存在坏点单元，则将所述坏点单元替换为所述可替换单元，并形成替换信息；形成替换信息之后，还包括：将所述存储块中坏点单元的替换信息写入所述非易失性存储器的指定区域。