[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610382262.8 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN106252412A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 金柱然 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 张帆;张青 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括在一方向上按照一行排列的第一鳍形图案和第二鳍形图案、第一鳍形图案与第二鳍形图案之间的沟槽、填充沟槽的一部分的场绝缘层、在场绝缘层上跨过第一鳍形图案与第二鳍形图案之间的绝缘线图案。绝缘线图案的底表面低于第一鳍形图案的顶表面和第二鳍形图案的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：在第一方向上按照一行排列的第一鳍形图案和第二鳍形图案；所述第一鳍形图案与所述第二鳍形图案之间的沟槽；场绝缘层，其填充所述沟槽的一部分；以及在所述第一鳍形图案与所述第二鳍形图案之间并在所述场绝缘层上的绝缘线图案，所述绝缘线图案与所述第一鳍形图案和所述第二鳍形图案间隔开，其中，所述绝缘线图案在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，并且其中，所述绝缘线图案的底表面低于所述第一鳍形图案的顶表面且低于所述第二鳍形图案的顶表面。
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