[发明专利]一种立方结构MgZnO薄膜及其制备方法、紫外探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201610381758.3 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN105951045A | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 韩舜;吕有明;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;刘新科;朱德亮 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;G01J1/42 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 王利彬 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体材料制备领域，提供一种高Zn含量立方结构(200)MgZnO薄膜的制备方法，包括如下步骤：制备Mg0.4Zn0.6O陶瓷靶材；将衬底放入腔体内，加热衬底至300℃，和通入流量为10‑30sccm的氧气，使腔体压强为4Pa；采用所述靶材，在所述衬底上进行脉冲沉积，制得薄膜。本发明还提供了以所述薄膜为源材料制备的MSM结构紫外探测器及其制备方法，所述紫外探测器对250nm的日盲紫外光有最大的响应度，光响应截至边为330nm，因此所制备的紫外探测器可以探测250nm‑330nm的紫外光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 立方 结构 mgzno 薄膜 及其 制备 方法 紫外 探测器 | ||
【主权项】：
一种立方结构MgZnO薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：制备Mg0.4Zn0.6O陶瓷靶材；将衬底放入腔体内，加热衬底至300℃，和通入流量为10‑30sccm的氧气，使腔体压强为4Pa；以及采用所述靶材，在所述衬底上进行脉冲沉积，制得薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳大学，未经深圳大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610381758.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
