[发明专利]功率器件的终端结构、功率器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种功率器件的终端结构，包括衬底，位于衬底正面的截止环和位于有源区和截止环之间的分压环，终端结构还包括位于分压环上的钝化结构，钝化结构包括半绝缘多晶硅钝化层，半绝缘多晶硅钝化层通过接触孔内填充的金属互连线分别电连接分压环两旁的有源区和截止环。本发明还涉及一种功率器件及一种功率器件的终端结构的制造方法。本发明采用半绝缘多晶硅终端结构再结合RESURF技术，解决了小的终端尺寸与高击穿电压性能之间的矛盾。有效降低了硅半导体表面的峰值电场，大大减小了器件漏电流，能够彻底解决功率器件反向耐压曲线蠕动、漂移以及反向漏电流大等问题，使功率器件在高温环境下具有较高的稳定性，因此在产品良率方面具有明显优势。

主权项

一种功率器件的终端结构，包括衬底，位于衬底第一表面的截止环，和位于器件有源区和所述截止环之间的分压环，所述截止环为第一掺杂类型，所述分压环为第二掺杂类型，其特征在于，还包括位于衬底第一表面所述分压环上的钝化结构，所述钝化结构包括半绝缘多晶硅钝化层，所述半绝缘多晶硅钝化层通过接触孔内填充的金属互连线分别电连接所述分压环两旁的所述有源区和所述截止环，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型为相反的掺杂类型。