[发明专利]功率器件的终端结构、功率器件及其制造方法

权利要求书

1.一种功率器件的终端结构，包括衬底，位于衬底第一表面的截止环，和位于器件有源区和所述截止环之间的分压环，所述截止环为第一掺杂类型，所述分压环为第二掺杂类型，其特征在于，还包括位于衬底第一表面所述分压环上的钝化结构，所述钝化结构包括半绝缘多晶硅钝化层，所述半绝缘多晶硅钝化层通过接触孔内填充的金属互连线分别电连接所述分压环两旁的所述有源区和所述截止环，所述第一掺杂类型和第二掺杂类型为相反的掺杂类型。

2.根据权利要求1所述的功率器件的终端结构，其特征在于，所述钝化结构为三层结构，包括中间的所述半绝缘多晶硅钝化层、底部的第一二氧化硅钝化层和顶部的第二二氧化硅钝化层，所述金属互连线穿过所述第二二氧化硅钝化层连接所述半绝缘多晶硅钝化层。

3.根据权利要求1所述的功率器件的终端结构，其特征在于，所述半绝缘多晶硅钝化层的折射率为1.4～1.6。

4.根据权利要求1所述的功率器件的终端结构，其特征在于，所述半绝缘多晶硅钝化层的相对介电常数为8～10。

5.根据权利要求1所述的功率器件的终端结构，其特征在于，所述分压环的结深为4微米～6微米。

6.一种功率器件，包括有源区和有源区周围的终端结构，其特征在于，所述终端结构为权利要求1-5中任意一项所述的功率器件的终端结构，所述半绝缘多晶硅钝化层通过金属互连线电连接所述有源区，是连接有源区的第二掺杂类型的主结。

7.根据权利要求6所述的功率器件，其特征在于，所述分压环的掺杂浓度小于所述主结的掺杂浓度。

8.根据权利要求7所述的功率器件，其特征在于，还包括位于所述衬底的第二表面的发射极掺杂层，以及位于所述发射极掺杂层表面的金属层，所述发射极掺杂层为第二掺杂类型且掺杂浓度大于所述主结的掺杂浓度，所述第二表面为与所述第一表面相背离的表面，所述发射极掺杂层和所述金属层组成器件的发射极。

9.一种功率器件的终端结构的制造方法，包括：

在衬底的第一表面光刻并注入第一掺杂类型的离子，在衬底的边缘形成截止环；

在衬底的第一表面光刻并注入第二掺杂类型的离子，在所述截止环和有源区之间形成分压环；所述第一掺杂类型和第二掺杂类型为相反的掺杂类型；

在所述分压环上的衬底第一表面上方形成钝化结构，所述钝化结构包括半绝缘多晶硅钝化层；

光刻并刻蚀所述钝化结构，形成接触孔；

在所述钝化结构表面形成金属互连线，所述金属互连线穿过所述接触孔，将所述半绝缘多晶硅钝化层与所述有源区和所述截止环连接在一起。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在所述分压环上的衬底第一表面上方形成钝化结构的步骤包括：

在所述衬底的表面形成第一二氧化硅钝化层；

在所述第一二氧化硅钝化层表面形成半绝缘多晶硅钝化层；

在所述半绝缘多晶硅钝化层的表面形成第二二氧化硅钝化层。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述第一二氧化硅钝化层表面形成半绝缘多晶硅钝化层的步骤中，所述半绝缘多晶硅钝化层的相对介电常数为8～10。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述在所述第一二氧化硅钝化层表面形成半绝缘多晶硅钝化层的步骤，是淀积半绝缘多晶硅并通过设备监测所述半绝缘多晶硅钝化层的折射率，将折射率控制在1.4～1.6。

13.根据权利要求10至12中任意一项所述的方法，其特征在于，所述在所述第一二氧化硅钝化层表面形成半绝缘多晶硅钝化层的步骤，淀积的半绝缘多晶硅钝化层的厚度为500纳米～2000纳米。

14.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在衬底的第一表面光刻并注入第二掺杂类型的离子，在所述截止环和有源区之间形成分压环的步骤，是在衬底的第一表面生长氧化层，并光刻和刻蚀所述氧化层，形成分压环注入窗口，注入第二掺杂类型的离子后热处理形成分压环。