[发明专利]沟槽栅极引出结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610378876.9 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107452787B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 卞铮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽栅极引出结构及其制造方法。所述沟槽栅极引出结构包括衬底、衬底表面的沟槽、以及所述衬底上的第一介质层，还包括沟槽内表面的多晶硅栅极，所述沟槽被所述多晶硅栅极部分填充，故在所述多晶硅栅极上方的沟槽内存在凹陷，所述凹陷内填充有第二介质层，所述沟槽栅极引出结构还包括金属塞，所述金属塞向下穿过所述第一介质层后插入所述第二介质层与所述多晶硅栅极之间，从而与所述多晶硅栅极连接。本发明的多晶硅栅极不需要将沟槽填满，多晶硅淀积的厚度仅与元胞沟槽的宽度设定相关，因此可以大幅降低其厚度，提升多晶硅淀积产能，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 栅极 引出 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽栅极引出结构，包括衬底、衬底表面的沟槽、以及所述衬底上的第一介质层，其特征在于，还包括沟槽内表面的栅氧化层以及栅氧化层上的多晶硅栅极，所述沟槽被所述多晶硅栅极部分填充，故在所述多晶硅栅极的表面存在凹陷，所述凹陷内填充有第二介质层，所述沟槽栅极引出结构还包括金属塞，所述金属塞向下穿过所述第一介质层后插入所述第二介质层与所述多晶硅栅极之间，从而与所述多晶硅栅极连接。
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