[发明专利]一种逻辑门电路的版图有效
| 申请号： | 201610375816.1 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN107453749B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 于跃;郑坚斌 | 申请（专利权）人： | 展讯通信（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0944 | 分类号： | H03K19/0944;H03K19/20 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种逻辑门电路的版图，包括：第一PMOS管，第一NMOS管，第二PMOS管、第二NMOS管，所述逻辑门电路的版图的VDD连接第一PMOS管及第二PMOS管的源极，所述逻辑门电路的版图的VSS连接第一NMOS管及第二NMOS管的源极，其特征在于，第一PMOS管的漏极连接第二PMOS管的栅极，第一NMOS管的漏极连接第二NMOS管的栅极，第二PMOS管的栅极通过多晶硅连接线连接第二NMOS管的栅极。本发明能够在不增加面积的情况下减小器件开关转换过程中的直流电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逻辑 门电路 版图 | ||
【主权项】：
一种逻辑门电路的版图，包括：第一PMOS管，第一NMOS管，第二PMOS管、第二NMOS管，所述逻辑门电路的版图的VDD连接第一PMOS管及第二PMOS管的源极，所述逻辑门电路的版图的VSS连接第一NMOS管及第二NMOS管的源极，其特征在于，第一PMOS管的漏极连接第二PMOS管的栅极，第一NMOS管的漏极连接第二NMOS管的栅极，第二PMOS管的栅极通过多晶硅连接线连接第二NMOS管的栅极。
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