[发明专利]电阻元件与压力传感器元件的各自的制造方法、压力传感器元件、压力传感器在审
| 申请号： | 201610371309.0 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106395735A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 岛田浩行 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;G01L9/06;G01C5/06 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司11225 | 代理人： | 苏萌萌,范文萍 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够将极薄的电阻区域以埋入到极浅的位置的状态形成的电阻元件的制造方法以及压力传感器元件的制造方法，此外，提供一种能够实现小型化以及高精度化的压力传感器元件，并且，提供一种具备所涉及的压力传感器元件的压力传感器、高度计、电子设备以及移动体。本发明的电阻元件的制造方法包括准备具有n型的硅层(213)的基板(2)的工序；通过向硅层(213)掺杂杂质从而形成电阻区域(51)的工序；通过快速热退火、闪光灯退火以及准分子激光退火中的任意一种退火来对电阻区域(51)进行热处理的工序；通过使硅在电阻区域(51)上外延生长从而形成覆盖层(213a)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 元件 压力传感器 各自 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻元件的制造方法，其特征在于，包括：准备具有硅层的基板的工序，所述硅层具备n型或者p型的区域；通过向所述区域掺杂杂质从而形成电阻区域的工序；通过快速热退火、闪光灯退火以及准分子激光退火中的任意一种退火来对所述电阻区域进行热处理的工序；通过使硅在所述电阻区域上外延生长从而形成覆盖层的工序。
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