[发明专利]利用直流反应磁控溅射技术制备钙钛矿太阳能电池的方法

摘要

利用直流反应磁控溅射技术制备钙钛矿太阳能电池的方法，本发明涉及太阳能电池制造技术领域；对衬底清洗；在衬底上沉积接触层；利用直流反应磁控溅射技术在纳米晶二氧化钛接触层上沉积PbO薄膜；制得有机金属卤化物钙钛矿薄膜样品；将钙钛矿薄膜样品加以煺火处理；在钙钛矿薄膜样品上沉积空穴传输层；沉积金属电极得到钙钛矿太阳能电池。可在大面积范围上制备均匀性好、覆盖率和结晶质量高有机金属卤化物钙钛矿薄膜，克服了当前钙钛矿太阳能电池发展中存在的瓶颈问题之一；该方法具有成本低、易控制、可操作性和可重复性高等优点；适用于大面积有机金属卤化物钙钛矿薄膜太阳能电池的制备，与未来工业化量产的工艺要求相兼容，具有重要意义。

主权项

利用直流反应磁控溅射技术制备钙钛矿太阳能电池的方法，其特征在于：它的操作步骤如下：(一)、对衬底加以清洗预处理；(二)、在上述清洗后的衬底上沉积纳米晶二氧化钛接触层；(三)、利用直流反应磁控溅射技术，在上述纳米晶二氧化钛接触层上沉积PbO薄膜，制得PbO薄膜样品；(四)、将上述PbO薄膜样品置于甲基卤化胺异丙醇溶液中浸泡，经由化学反应后原位转化成有机金属卤化物钙钛矿薄膜，制得有机金属卤化物钙钛矿薄膜样品；(五)、将上述有机金属卤化物钙钛矿薄膜样品加以煺火处理；(六)、在上述有机金属卤化物钙钛矿薄膜样品上沉积空穴传输层；(七)、在上述空穴传输层上沉积金属电极，得到所述钙钛矿太阳能电池。