[发明专利]一种集成电路的抗辐射版图设计方法在审
| 申请号： | 201610367157.7 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN107436962A | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 佘晓轩 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海元一成知识产权代理事务所(普通合伙)31268 | 代理人： | 吴桂琴 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路领域，涉及一种基于隔离N阱与存储单元的抗辐射电路版图设计方法。本发明在电路版图设计中，使非存储单元电路的N阱与存储单元间的距离大于或等于预先指定的最短许可距离，使非存储单元电路的N阱与存储单元间的隔离区有大于或等于预先指定最小面积的区域被NMOS晶体管占据，使非存储单元电路N阱的面积小于或等于预先指定的最大许可面积。本发明的版图设计方法可避免存储单元电路中NMOS晶体管源极的大量电子经P衬底流向漏极产生较大漏电流，从而使电路具有抗辐射特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 辐射 版图 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路的抗辐射版图设计方法，其特征在于，该方法为基于隔离N阱与存储单元的抗辐射电路版图设计方，其包括：在电路版图设计中，使非存储单元电路的N阱与存储单元间的距离大于或等于预先指定的最短许可距离，使非存储单元电路的N阱与存储单元间的隔离区有大于或等于预先指定最小面积的区域被NMOS晶体管占据，使非存储单元电路N阱的面积小于或等于预先指定的最大许可面积。
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