[发明专利]利用射频磁控溅射技术制备钙钛矿薄膜的方法在审
| 申请号： | 201610365685.9 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105914296A | 公开（公告）日： | 2016-08-31 |
| 发明（设计）人： | 张志荣 | 申请（专利权）人： | 河西学院 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/48;H01L51/56;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 734000*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 利用射频磁控溅射技术制备钙钛矿薄膜的方法，本发明涉及功能薄膜的制备技术领域；一、清洗衬底；二、采用射频磁控溅射技术在所述衬底上生长PbO薄膜，制成PbO薄膜样品；三、将上述PbO薄膜样品在甲基卤化胺的异丙醇溶液中浸泡，经化学反应后原位生成有机金属卤化物钙钛矿薄膜；四、将上述钙钛矿薄膜样品加以煺火处理。该方法制得的钙钛矿薄膜均匀性和覆盖率高、结晶质量优，具有成本低、工艺简单可控、易于量化生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 射频 磁控溅射 技术 制备 钙钛矿 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
利用射频磁控溅射技术制备钙钛矿薄膜的方法，其特征在于：它的制作步骤如下：(一)、清洗衬底；(二)、采用射频磁控溅射技术在所述衬底上生长PbO薄膜，制成PbO薄膜样品；(三)、将上述PbO薄膜样品在甲基卤化胺的异丙醇溶液中浸泡，经化学反应后原位生成有机金属卤化物钙钛矿薄膜；(四)、将上述钙钛矿薄膜样品加以煺火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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