[发明专利]一种神经电极结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610362314.5 申请日: 2016-05-26
公开(公告)号: CN105963857B 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 李俊杰;赵超;杨涛;李洪革 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: A61N1/05 分类号: A61N1/05
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 党丽;王宝筠
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种神经电极结构的制造方法,包括:提供衬底;刻蚀衬底以形成凹面和凸面相间的凹凸区域,凸面为凸条或凸台;在凹凸区域的表面上形成绝缘层;在绝缘层的表面上形成凹凸的第一电极。该方法将电极形成在凹凸区域上,形成三维的神经电极结构,在植入人体后使得植入式的神经电极具有更大的比表面积,增加了电极的电荷捕获能力,进而提高电极灵敏度、集成度以及空间分辨率。
搜索关键词: 一种 神经 电极 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种神经电极结构的制造方法,所述神经电极结构用于神经信号采集,其特征在于,包括:提供衬底;刻蚀衬底以形成凹面和凸面相间的凹凸区域,凸面为凸条或凸台,凹凸区域为多个并在衬底上呈阵列排布;在凹凸区域的表面上形成凹凸的第一电极,在第一电极上形成电容介质层,在电容介质层上形成第二电极;在凹凸区域之间的衬底中形成开口;以第一聚合物材料层填充开口并覆盖凹凸区域;形成与第一电极和第二电极分别电连接的第一引线和第二引线;释放衬底;其中,凹凸区域的边缘至少部分第一电极区域之上未覆盖第二电极;形成与第一电极和第二电极分别电连接的第一引线和第二引线的步骤包括:进行刻蚀,以在未覆盖第二电极的第一电极之上形成第一电极接触孔;填充第一电极接触孔并在第一电极接触孔上形成第一金属层,从而形成第一引线;覆盖第二聚合物材料层;进行刻蚀,以形成第二电极接触孔;填充第二电极接触孔并在第二电极接触孔上形成第二金属层,从而形成第二引线;在第二引线上覆盖钝化层。
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