[发明专利]像素结构有效
申请号: | 201610349202.6 | 申请日: | 2011-12-20 |
公开(公告)号: | CN105789224B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 永泽耕一;玉置昌哉;林宗治;加边正章;福永容子 | 申请(专利权)人: | 株式会社日本显示器 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 励晓林 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供了一种像素结构,包括至少三个电极以及至少两个驱动电路。所述至少三个电极被部署为在第二平面化膜上彼此分开,所述至少三个电极包括:第一电极,它们是所述至少三个电极中的两个电极;及第二电极,其是三个电极中除了所述第一电极之外的一个电极。其中,所述第一电极电连接至作为所述至少两个驱动电路之一的第一驱动电路,并且所述第一驱动电路驱动所述第一电极;并且,所述第二电极电连接至作为所述驱动电路中除了所述第一驱动电路之外的一个驱动电路的第二驱动电路,并且所述第二驱动电路驱动所述第二电极。 | ||
搜索关键词: | 像素 结构 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,包括:至少三个电极,被部署为在第二平面化膜上彼此分开,所述至少三个电极包括:第一电极,它们是所述至少三个电极中的两个电极;及第二电极,其是三个电极中除了所述第一电极之外的一个电极;以及至少两个驱动电路;以及顺序层压在形成电路部分的基底上的第一平面化膜和第二平面化膜,所述第一平面化膜和所述第二平面化膜比包括所述电路部分的层距基底更远;以及其中,所述电路部分包括第一驱动电路以及第二驱动电路,所述第一电极电连接至第一驱动电路,并且所述第一驱动电路驱动所述第一电极;并且,所述第二电极电连接至第二驱动电路,并且所述第二驱动电路驱动所述第二电极,在两层结构的所述第一和第二平面化膜中,形成第一平面化膜的第一接触部分,而所述第一电极的第二接触部分形成在对应于各自第一电极的中心位置的部分,当从上面看时,形成在第一平面化膜的第一接触部分和第二平面化膜的第二接触部分形成在穿过各自第一电极的中心位置的一条直线上,所述第一接触部分位于第二接触部分之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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