[发明专利]基于梯型寡聚芴的咔唑类梯型聚苯的热稳定、高迁移率非掺杂有机激光材料及其制备和应用有效
| 申请号： | 201610344063.8 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN106008320B | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 钱妍;李燕;黄维;解令海 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C07D209/86 | 分类号： | C07D209/86;C09K11/06;H01L51/54;H01L51/50 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 汪旭东 |
| 地址： | 210046 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于有机光电材料技术领域。本发明公开了一种基于梯型寡聚芴的咔唑类梯型聚苯的有机半导体材料及其制备和应用。所述有机半导体材料是以梯型聚苯为中间母体，以咔唑为端基的聚合物材料。所述有机半导体材料是由梯型聚苯与咔唑通过乌尔曼偶联反应制备得到。所述有机半导体材料具有有机非掺杂固态激光性质，可作为增益介质，用于有机非掺杂固态激光器件、有机发光二极管器件中。本发明提供的基于梯型寡聚芴双咔唑梯型聚苯具有：较高的迁移率；良好的热、化学稳定性；较好的发光量子效率；超低的ASE阈值；制备加工工艺简单；大的光吸收截面；合成产率高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 梯型寡聚芴 咔唑类梯型聚苯 稳定 迁移率 掺杂 有机 激光 材料 及其 制备 应用 | ||
【主权项】：
1.一种基于梯型寡聚芴的咔唑类梯型聚苯的有机半导体材料，其特征在于，所述有机半导体材料是以梯型聚苯为中间母体，以咔唑为端基的聚合物材料，其具有如下结构：![]()
其中，n为大于2的整数，R1和R2分别为不同的取代或未取代的C1‑C22烷基、取代或未取代的C1‑C22烷氧基中的任意一种；上述聚合物材料简写为DCzLPhn。
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