[发明专利]碳纳米管膜的制备方法有效
| 申请号： | 201610342262.5 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN107399732B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 王江涛;夏炳煜;柳鹏;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/162 | 分类号： | C01B32/162 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种碳纳米管膜的制备方法，包括以下步骤：提供一生长基底，该生长基底具有相对设置的第一表面和第二表面，在该生长基底的第一表面设置有一催化剂层；将设置有催化剂层的生长基底放入一反应室内；在碳纳米管的生长温度下，向所述反应室内通入碳源气体和氢气开始生长碳纳米管，同时给所述生长基底施加一电场，该电场的电场方向由所述生长基底的第一表面指向第二表面；当所述碳纳米管向远离生长基底的方向飞起来时，停止对所述生长基底施加电场，并继续向所述反应室内通入碳源气体和氢气生长碳纳米管；以及停止通入碳源气体和氢气，使碳纳米管落在一接收基底上，获得一碳纳米管膜。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管膜的制备方法，包括以下步骤：提供一生长基底，该生长基底具有相对设置的第一表面和第二表面，在该生长基底的第一表面设置有一催化剂层；将设置有催化剂层的生长基底放入一反应室内；在碳纳米管的生长温度下，向所述反应室内通入碳源气体和氢气开始生长碳纳米管，同时给所述生长基底施加一电场，该电场的电场方向由所述生长基底的第一表面指向第二表面；当所述碳纳米管向远离生长基底的方向飞起来时，停止对所述生长基底施加电场，并继续向所述反应室内通入碳源气体和氢气生长碳纳米管，在停止施加电场之后，所述碳纳米管沿着平行于所述第一表面的方向继续生长；以及停止通入碳源气体和氢气，使碳纳米管落在一接收基底上，获得一碳纳米管膜。
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