[发明专利]碳纳米管膜的制备方法

权利要求书

1.一种碳纳米管膜的制备方法，包括以下步骤：

提供一生长基底，该生长基底具有相对设置的第一表面和第二表面，在该生长基底的第一表面设置有一催化剂层；

将设置有催化剂层的生长基底放入一反应室内；

在碳纳米管的生长温度下，向所述反应室内通入碳源气体和氢气开始生长碳纳米管，同时给所述生长基底施加一电场，该电场的电场方向由所述生长基底的第一表面指向第二表面；

当所述碳纳米管向远离生长基底的方向飞起来时，停止对所述生长基底施加电场，并继续向所述反应室内通入碳源气体和氢气生长碳纳米管，在停止施加电场之后，所述碳纳米管沿着平行于所述第一表面的方向继续生长；以及

停止通入碳源气体和氢气，使碳纳米管落在一接收基底上，获得一碳纳米管膜。

2.如权利要求1所述的碳纳米管膜的制备方法，其特征在于，所述生长基底在碳纳米管的生长温度下绝缘。

3.如权利要求2所述的碳纳米管膜的制备方法，其特征在于，所述生长基底的材料为单晶石英，该生长基底具有多个晶面，经过稳定温度切割处理后暴露出的晶面具有二次对称性。

4.如权利要求1所述的碳纳米管膜的制备方法，其特征在于，进一步将所述生长基底设置于一导电基片上，通过给该导电基片施加一负电压的方式给所述生长基底施加电场。

5.如权利要求4所述的碳纳米管膜的制备方法，其特征在于，所述给导电基片施加负电压的时间为1秒～10秒，所述负电压为0伏特至-1000伏特，且不等于0伏特。

6.如权利要求5所述的碳纳米管膜的制备方法，其特征在于，所述负电压为0伏特至-500伏特，且不等于0伏特。

7.如权利要求1所述的碳纳米管膜的制备方法，其特征在于，给所述生长基底施加电场的步骤包括：提供一导电基片，将所述生长基底设置于该导电基片上；提供一导电板，将该导电板设置于所述反应室内，且与所述生长基底的第一表面相对且间隔设置；以及在所述导电基片和导电板之间产生一个电场方向由导电板指向导电基片的电场。

8.如权利要求1所述的碳纳米管膜的制备方法，其特征在于，给所述生长基底施加电场的步骤包括：提供一导电基片，将所述生长基底设置于该导电基片上；以及提供一电源表，该电源表的一端与所述导电基片电连接，另一端连接于所述反应室。

9.如权利要求1所述的碳纳米管膜的制备方法，其特征在于，通过给所述生长基底施加电场，使所述碳纳米管处于该电场中，由于在碳纳米管生长过程中，碳纳米管本身带负电，使碳纳米管的一端与生长基底连接，该碳纳米管的其余部分均脱离生长基底的束缚，向着远离生长基底的方向飞起来。

10.如权利要求1所述的碳纳米管膜的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管膜包括多个平行于碳纳米管膜表面的碳纳米管，该多个碳纳米管相互平行且沿同一方向延伸。