[发明专利]高纯度二苯砜、其制备以及用于制备聚(芳基醚酮)的用途有效
申请号: | 201610339978.X | 申请日: | 2009-10-23 |
公开(公告)号: | CN106167545B | 公开(公告)日: | 2019-03-01 |
发明(设计)人: | 昌塔尔·路易斯;威廉·甘迪;爱德华·瑞安;杰弗里·斯克特·昂德伍德;李公 | 申请(专利权)人: | 索维高级聚合物股份有限公司 |
主分类号: | C08G65/40 | 分类号: | C08G65/40 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王潜;郭国清 |
地址: | 美国佐*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及高纯度二苯砜、其制备以及用于制备聚(芳基醚酮)的用途。具体地,在二苯砜中某些杂质的存在对于在其中生产的聚(芳基醚酮)的特性有不利的影响,这些特性包括颜色、熔体稳定性、分子量、结晶性等中的一项或多项,并且在此识别出这些杂质并提供用于去除此类杂质的方法。 | ||
搜索关键词: | 纯度 二苯砜 制备 以及 用于 芳基醚酮 用途 | ||
【主权项】:
1.一种通过芳香族亲核取代来制备聚(芳基醚酮)的方法,其中所述芳香族亲核取代包括在包含二苯砜的溶剂中使至少一种双酚和至少一种二卤代苯型化合物或至少一种卤代苯酚化合物的实质上等摩尔的混合物起反应,其中所述二苯砜已用于聚(芳基醚酮)的制备中,即所述二苯砜是用过的DPS,并且其中所述用过的DPS满足以下所有的杂质限度:
其中ppm和wt%是基于所述用过的DPS的总重量并且面积%代表所涉及的杂质的GC峰面积相对于所述用过的DPS的所有GC峰的总面积的比率。
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