[发明专利]一种用于混晶化学气相外延的进气装置在审
| 申请号： | 201610339091.0 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN105926035A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 蒋国文;冉军学;何斌;黎天韵;胡国新;王其忻;胡强 | 申请（专利权）人： | 广东省中科宏微半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/14 | 分类号： | C30B25/14;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李海建 |
| 地址： | 510670 广东省广州市高新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于混晶化学气相外延的进气装置，包括：设置在生长室上的混气装置，混气装置上划分有第一预设数量的混气区域；与混气区域的入口导通的第二预设数量的进气通道，混气区域的出口与生长室导通；进气通道用于各种反应气体的输入；混气区域用于预反应程度差值在预设范围内的反应气体的盛放。使用时，将各种反应气体通过进气通道输送到各自对应的混气区域，其中，同一混气区域盛放的为反应气体中预反应程度接近的气体，最后，所有反应气体进入生长室进行晶体生长。本发明将各种反应气体分开输送到各自对应的混气区域，在输入的过程中，可各自调节，且将预反应程度相差多的区分开，降低了预反应，提高了混晶的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 化学 外延 装置 | ||
【主权项】：
一种用于混晶化学气相外延的进气装置，其特征在于，包括：设置在生长室(2)上的混气装置(1)，所述混气装置(1)上划分有第一预设数量的混气区域；与所述混气区域的入口导通的第二预设数量的进气通道，所述混气区域的出口与所述生长室(2)导通；所述进气通道用于反应气体的输入；所述混气区域用于预反应程度差值在预设范围内的所述反应气体的盛放。
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